科技日报首尔1月22日电 （记者薛严）据韩国半导体业界克日流露，三星电子正在改良12纳米级静态随机存取存储器（DRAM）“D1b”的计划。    三星电子于2023年初次量产“D1b”，利用于显卡DRAM跟手机DRAM上。此次转变已出产一年多的DRAM计划是半导体行业中常见的案例。    专业人士表现，转变计划并不是一个轻易的决议，制作工艺发生变更后，会进步本钱，此举象征着公司有改良工艺跟产物的紧急认识。    三星电子曾经在依据新的“D1b”计划修正出产工艺，于2024岁尾下达了紧迫装备订单，进级了现有出产线，并停止了技巧转移。斟酌到装备建立跟试运转的进度，新款“D1b”将于年内量产，估计最快第二季度或第三季度宣布。    除转变“D1b”计划外，三星电子还启动了名为“D1b-p”的新开辟名目，以加强DRAM竞争力。“D1b-p”的特色是重视进步电源效力跟发烧，应用了英文单词“prime”中的首字母p，旨在夸大产物“更为优良”。    三星电子正面对着竞争敌手的微弱挑衅。韩国SK海力士跟美国美光都已将“D1b”产物贸易化，并在更顺应人工智能时期的高带宽内存长进行利用。SK海力士2024年实现了下一代DRAM“D1c”的开辟。与竞争敌手比拟，三星电子现在的“D1b”产物无论在机能仍是良品率上都处于绝对优势，不得不实行转变半导体计划等特别办法，以弥补缺口，加强竞争力。